如何理解UVLED光固化的基本原理

UVLED是一种LED，是单个波长的不可见光，通常在420nm以下。 主要有365nm和395nm。UVLED光固化通常使用365nm的波长。 通过特殊设计，UVLED可以发出完整的连续紫外光带，以满足封边，印刷等领域的生产需求。线光源寿命长，冷光源，无热辐射，寿命不受开闭次数的影响，能量高，照射均匀，提高了生产效率，不含有毒物质，更安全，更环保 比传统光源

UVLED（紫外线LED）由一个或更多个InGaN量子阱夹在较薄的GaN三明治结构之间组成，形成的有源区是一个覆盖层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为InGaN量子阱，可以将发射波长从紫光变为其他光。 通过更改AlN比例，可以使用AlGaN来制作UVLED和量子阱层的包层，但是这些设备的效率和成熟度都很差。 如果活性的量子阱层是GaN，与InGaN或AlGaN合金相反，则器件发射的光谱范围为350?370nm。
当LED泵上的蓝色InGaN短电子脉冲时，会产生紫外线。 含铝的氮化物，特别是AlGaN和AlGaInN可以制成短波长器件，并获得串联波长UVLED。 波长高达247nm的二极管已经商业化，基于氮化铝且可发出210nm紫外线辐射的LED已成功开发，并且在250?270nm波段的UVLED也正在大力发展。
III-V族金属氮化物基半导体非常适合制造紫外线辐射源。 以AlGaInN为例，在室温下，随着各组分比例的变化，复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED的有源层仅由GaN或AlGaN组成，则其紫外线辐射效率非常低，因为电子和空穴之间的复合是非辐射复合。 如果在此层中掺杂少量金属In，则有源层的局部能级将发生变化。 此时，电子和空穴将发生辐射复合。 因此，当有源层中掺杂有金属铟时，在380nm处的辐射效率比未掺杂时高19倍。

UVLED光固化的原理：使用UVLED固化产生的特定紫外线波长与UV油墨中的UV涂料，UV胶和UV固化剂反应，以实现快速固化。
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